功率半導體IGBT如何進行老化測試
IGBT 作為一種新型電力電子器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品,是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件,其作用類似于人類的心臟,能夠根據工業(yè)裝置中的信號指令來調節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實現(xiàn)精準調控的目的。因此,IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”,廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。
影響IGBT模塊可靠性和穩(wěn)定性因素眾多,包括芯片位置的確定、不同材料的熱膨脹系數(shù)及其持性、回流爐回流曲線及其他參數(shù)的設置等,要能大批量地生產出可靠性、穩(wěn)定性高的IGBT模塊,需要經過長期研發(fā)試驗和經驗積累,才能了解器件和材料特性,掌握生產工藝、找到較為合適的方案。
APPLICATION CASE功率半導體IGBT老化測試應用
測試要求
IGBT可按照電壓等級劃分,通常有300V、600V、900V、1200V等,其中,電動車用 IGBT 模塊常用的典型型號為650V、550A 的模塊,測試項目主要包括額定值測試、特性測試、耐久性及可靠性測試等。以拓沃得某客戶為例,客戶要求高壓600V、1000V左右電壓恒壓給igbt動靜態(tài)測試提供穩(wěn)定的電壓輸出。電源要能夠并機或者串聯(lián)。根據客戶需求推薦2臺規(guī)格:TDC2001,電壓0-1000V,電流0-1A。
IGBT測試特性
動態(tài)特性:IGBT的動態(tài)特性主要是指開通過程和關斷過程,使得IGBT 反復處于導通態(tài),測試其開通和關斷過程中的延遲時間,上升時間,下降時間等。靜態(tài)特性:IGBT的靜態(tài)特性主要是指伏安特性、轉移特性,一般需給予一個長時間的穩(wěn)定電環(huán)境,最高柵源電壓受最大漏極電流限制,其最佳值一般取為15V左右。測試過程電源工作狀態(tài):CV狀態(tài)工作通過電源持續(xù)給設備進行施加反偏電壓、常用500V、1000V及以上高壓、電流在100mA以內。通過給多組產品進行老化實驗。




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